深圳市英特翎科技有限公司

11年

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DIODES/美台 BAS116LPH4-7B 二极管
DIODES/美台 BAS116LPH4-7B 二极管
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DIODES/美台 BAS116LPH4-7B 二极管

型号/规格:

BAS116LPH4-7B

品牌/商标:

DIODES/美台

封装形式:

X2-DFN1006-2

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特性:

小功率

频率特性:

低频

整流电流:

215m

反向击穿电流:

85 V

产品信息

型号BAS116LPH4-7B

BAS116LPH4-7B

BAS116LPH4-7B

BAS116LPH4-7B

类别

分立半导体产品
二极管
整流器
单二极管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(大值)
85 V
电流 - 平均整流 (Io)
215mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25 V @ 150 mA
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
3 μs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容
1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
0402(1006 公制)
供应商器件封装
X2-DFN1006-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号

BAS116

类别
分立半导体产品
二极管
整流器
单二极管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(大值)
85 V
电流 - 平均整流 (Io)
215mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25 V @ 150 mA
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
3 μs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容
1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
0402(1006 公制)
供应商器件封装
X2-DFN1006-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
BAS116
类别
分立半导体产品
二极管
整流器
单二极管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(大值)
85 V
电流 - 平均整流 (Io)
215mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25 V @ 150 mA
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
3 μs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容
1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
0402(1006 公制)
供应商器件封装
X2-DFN1006-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
BAS116